[发明专利]自我平衡式二极管装置有效
申请号: | 201610969374.3 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN107039415B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 柯明道;吴伟琳;彭政杰;姜信钦 | 申请(专利权)人: | 晶焱科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种自我平衡式二极管装置,包含一基板、一掺杂井区、至少一第一导电型重掺杂鳍与至少两个第二导电型重掺杂鳍。掺杂井区设于基板中,第一导电型重掺杂鳍设于掺杂井区中并沿第一方向设置,且从基板的表面上凸出。第二导电型重掺杂鳍设于掺杂井区中并沿第二方向设置,第二方向与第一方向相交。第二导电型重掺杂鳍分别位于第一导电型重掺杂鳍的相异两侧且从基板的表面上凸出,每一第二导电型重掺杂鳍与第一导电型重掺杂鳍相隔一固定距离。 | ||
搜索关键词: | 自我 平衡 二极管 装置 | ||
【主权项】:
1.一种自我平衡式二极管装置,其特征在于,包含:一基板;一掺杂井区,设于该基板中;至少一第一导电型重掺杂鳍,设于该掺杂井区中并沿第一方向设置,且从该基板的表面上凸出;以及至少两个第二导电型重掺杂鳍,设于该掺杂井区中并沿第二方向设置,该第二方向与该第一方向垂直,所述第一导电型重掺杂鳍两侧的所述第二导电型重掺杂鳍数量相同,该至少两个第二导电型重掺杂鳍分别位于该第一导电型重掺杂鳍的相异两侧且从该基板的该表面上凸出,每一该第二导电型重掺杂鳍与该第一导电型重掺杂鳍相隔一固定距离,该掺杂井区、该第一导电型重掺杂鳍与该至少两个第二导电型重掺杂鳍形成至少两个二极管,该第一导电型重掺杂鳍电性连接第一电压端,该至少两个第二导电型重掺杂鳍电性连接第二电压端,该第一电压端与该第二电压端的电压顺向偏压该多个二极管,以产生至少两路均匀静电放电电流并通过该多个二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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