[发明专利]自我平衡式二极管装置有效
申请号: | 201610969374.3 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN107039415B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 柯明道;吴伟琳;彭政杰;姜信钦 | 申请(专利权)人: | 晶焱科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 自我 平衡 二极管 装置 | ||
1.一种自我平衡式二极管装置,其特征在于,包含:
一基板;
一掺杂井区,设于该基板中;
至少一第一导电型重掺杂鳍,设于该掺杂井区中并沿第一方向设置,且从该基板的表面上凸出;以及
至少两个第二导电型重掺杂鳍,设于该掺杂井区中并沿第二方向设置,该第二方向与该第一方向相交,该多个第二导电型重掺杂鳍分别位于该第一导电型重掺杂鳍的相异两侧且从该基板的该表面上凸出,每一该第二导电型重掺杂鳍与该第一导电型重掺杂鳍相隔一固定距离,该掺杂井区、该第一导电型重掺杂鳍与该多个第二导电型重掺杂鳍形成至少两个二极管,该第一导电型重掺杂鳍电性连接第一电压端,该多个第二导电型重掺杂鳍电性连接第二电压端,该第一电压端与该第二电压端的电压顺向偏压该多个二极管,以产生至少两路均匀静电放电电流并通过该多个二极管。
2.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该掺杂井区为P型掺杂井区或N型掺杂井区。
3.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,当该第一导电型重掺杂鳍为N型重掺杂鳍时,该多个第二导电型重掺杂鳍为P型重掺杂鳍,且该第一电压端与该第二电压端分别为低电压端与高电压端;当该第一导电型重掺杂鳍为P型重掺杂鳍时,该多个第二导电型重掺杂鳍为N型重掺杂鳍,且该第一电压端与该第二电压端分别为高电压端与低电压端。
4.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该第一方向垂直于该第二方向。
5.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含一绝缘层,其设于该基板的该表面上并介于该第一导电型重掺杂鳍与每一该第二导电型重掺杂鳍之间。
6.根据权利要求5所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该第二导电型重掺杂鳍的数量大于两个,且该绝缘层介于相邻的该多个第二导电型重掺杂鳍之间,该二极管与该静电放电电流的路数的数量皆大于2。
7.根据权利要求6所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含:
多个第一接触电极,设于该第一导电型重掺杂鳍的顶部与侧壁及该绝缘层上,并沿该第二方向设置,且电性连接该第一电压端;以及
两个第二接触电极,分别设于位于该相异两侧的该多个第二导电型重掺杂鳍的顶部与侧壁上,并设于该绝缘层上,且该多个第二接触电极沿该第一方向设置并电性连接该第二电压端。
8.根据权利要求7所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该多个第一接触电极的数量等于位于该第一导电型重掺杂鳍的每一该侧的该第二导电型重掺杂鳍的数量。
9.根据权利要求7所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含一第一重掺杂箝位鳍,其与该第二导电型重掺杂鳍属于相同导电型,该第一重掺杂箝位鳍位于该掺杂井区中并沿该第二方向设置,且与该第一导电型重掺杂鳍相离,又从该基板的该表面凸起,该第一导电型重掺杂鳍具有第一端与第二端,该第一重掺杂箝位鳍相邻该第一端及其最接近的两个该第二导电型重掺杂鳍,该绝缘层介于该第一重掺杂箝位鳍与其相邻的该第二导电型重掺杂鳍之间且介于该第一重掺杂箝位鳍与该第一导电型重掺杂鳍之间,该多个第二接触电极设于该第一重掺杂箝位鳍的顶部与侧壁上。
10.根据权利要求9所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含一第二重掺杂箝位鳍,其与该第二导电型重掺杂鳍属于相同导电型,该第二重掺杂箝位鳍位于该掺杂井区中并沿该第二方向设置,且与该第一导电型重掺杂鳍相离,又从该基板的该表面凸起,该第二重掺杂箝位鳍相邻该第二端及其最接近的两个该第二导电型重掺杂鳍,该绝缘层介于该第二重掺杂箝位鳍与其相邻的该第二导电型重掺杂鳍之间且介于该第二重掺杂箝位鳍与该第一导电型重掺杂鳍之间,该多个第二接触电极设于该第二重掺杂箝位鳍的顶部与侧壁上。
11.根据权利要求5所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该第一导电型重掺杂鳍的数量为多个,该绝缘层介于相邻的该第一导电型重掺杂鳍之间,又该二极管与该静电放电电流的路数的数量皆大于2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶焱科技股份有限公司,未经晶焱科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610969374.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光伏专用直流防反装置
- 下一篇:一种基于太阳能的警用电动巡逻车控制系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的