[发明专利]自我平衡式二极管装置有效

专利信息
申请号: 201610969374.3 申请日: 2016-10-27
公开(公告)号: CN107039415B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 柯明道;吴伟琳;彭政杰;姜信钦 申请(专利权)人: 晶焱科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 自我 平衡 二极管 装置
【权利要求书】:

1.一种自我平衡式二极管装置,其特征在于,包含:

一基板;

一掺杂井区,设于该基板中;

至少一第一导电型重掺杂鳍,设于该掺杂井区中并沿第一方向设置,且从该基板的表面上凸出;以及

至少两个第二导电型重掺杂鳍,设于该掺杂井区中并沿第二方向设置,该第二方向与该第一方向相交,该多个第二导电型重掺杂鳍分别位于该第一导电型重掺杂鳍的相异两侧且从该基板的该表面上凸出,每一该第二导电型重掺杂鳍与该第一导电型重掺杂鳍相隔一固定距离,该掺杂井区、该第一导电型重掺杂鳍与该多个第二导电型重掺杂鳍形成至少两个二极管,该第一导电型重掺杂鳍电性连接第一电压端,该多个第二导电型重掺杂鳍电性连接第二电压端,该第一电压端与该第二电压端的电压顺向偏压该多个二极管,以产生至少两路均匀静电放电电流并通过该多个二极管。

2.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该掺杂井区为P型掺杂井区或N型掺杂井区。

3.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,当该第一导电型重掺杂鳍为N型重掺杂鳍时,该多个第二导电型重掺杂鳍为P型重掺杂鳍,且该第一电压端与该第二电压端分别为低电压端与高电压端;当该第一导电型重掺杂鳍为P型重掺杂鳍时,该多个第二导电型重掺杂鳍为N型重掺杂鳍,且该第一电压端与该第二电压端分别为高电压端与低电压端。

4.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该第一方向垂直于该第二方向。

5.根据权利要求1所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含一绝缘层,其设于该基板的该表面上并介于该第一导电型重掺杂鳍与每一该第二导电型重掺杂鳍之间。

6.根据权利要求5所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该第二导电型重掺杂鳍的数量大于两个,且该绝缘层介于相邻的该多个第二导电型重掺杂鳍之间,该二极管与该静电放电电流的路数的数量皆大于2。

7.根据权利要求6所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含:

多个第一接触电极,设于该第一导电型重掺杂鳍的顶部与侧壁及该绝缘层上,并沿该第二方向设置,且电性连接该第一电压端;以及

两个第二接触电极,分别设于位于该相异两侧的该多个第二导电型重掺杂鳍的顶部与侧壁上,并设于该绝缘层上,且该多个第二接触电极沿该第一方向设置并电性连接该第二电压端。

8.根据权利要求7所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该多个第一接触电极的数量等于位于该第一导电型重掺杂鳍的每一该侧的该第二导电型重掺杂鳍的数量。

9.根据权利要求7所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含一第一重掺杂箝位鳍,其与该第二导电型重掺杂鳍属于相同导电型,该第一重掺杂箝位鳍位于该掺杂井区中并沿该第二方向设置,且与该第一导电型重掺杂鳍相离,又从该基板的该表面凸起,该第一导电型重掺杂鳍具有第一端与第二端,该第一重掺杂箝位鳍相邻该第一端及其最接近的两个该第二导电型重掺杂鳍,该绝缘层介于该第一重掺杂箝位鳍与其相邻的该第二导电型重掺杂鳍之间且介于该第一重掺杂箝位鳍与该第一导电型重掺杂鳍之间,该多个第二接触电极设于该第一重掺杂箝位鳍的顶部与侧壁上。

10.根据权利要求9所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,还包含一第二重掺杂箝位鳍,其与该第二导电型重掺杂鳍属于相同导电型,该第二重掺杂箝位鳍位于该掺杂井区中并沿该第二方向设置,且与该第一导电型重掺杂鳍相离,又从该基板的该表面凸起,该第二重掺杂箝位鳍相邻该第二端及其最接近的两个该第二导电型重掺杂鳍,该绝缘层介于该第二重掺杂箝位鳍与其相邻的该第二导电型重掺杂鳍之间且介于该第二重掺杂箝位鳍与该第一导电型重掺杂鳍之间,该多个第二接触电极设于该第二重掺杂箝位鳍的顶部与侧壁上。

11.根据权利要求5所述的自我平衡式二极管装置,其特征在于,该第一导电型重掺杂鳍的数量为多个,该绝缘层介于相邻的该第一导电型重掺杂鳍之间,又该二极管与该静电放电电流的路数的数量皆大于2。

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