[发明专利]一种近红外光控存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201610968813.9 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106449977A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 周晔;韩素婷 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;G11C13/04 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种近红外光控存储器及其制造方法，所述近红外光控存储器包括：半导体层、浮栅层、介电层、栅极和基底；所述半导体层之上还设置有金电极；所述浮栅层由二氧化硅包覆荧光纳米颗粒组成。本发明所述的存储器在近红外光调控下，存储窗口得到增强，以此来实现多比特存储。相比常规的改进半导体层材料特性或增强浮栅层捕获载流子能力等方法，利用近红外光实时调控、增强存储窗口在信息加密领域有着良好的应用前景。近红外光调控方便高效，更可与常规方法相结合，从而获得高性能的存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光控 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种近红外光控存储器，其特征在于，包括：从上到下依次设置的半导体层、浮栅层、介电层、栅极和基底；所述半导体层之上还设置有金电极；所述浮栅层由二氧化硅包覆荧光纳米颗粒组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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