[发明专利]一种电路结构及制造方法和显示器面板

摘要

一种电路结构，包含多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管结构包括衬底和位于衬底上的由金属氧化物构成、且与栅极叠层相毗邻的有源层；所述有源层部分区域上覆盖有第一调节层；其中第一调节层覆盖下的区域分别形成源区、漏区，非第一调节层覆盖下的区域形成沟道区；所述源区、漏区与沟道区相互连接且分别位于沟道区的两端，沟道区与栅极叠层相毗邻；部分薄膜晶体管整个沟道区上方设有第二调节层，在第二调节层覆盖下的形成耗尽型沟道区，构成耗尽型薄膜晶体管，在非第二调节层覆盖下的形成增强型沟道区，构成增强型薄膜晶体管；电连接耗尽型薄膜晶体管和增强型薄膜晶体管即构成电路。本发明还涉及上述电路结构的制造方法和具有该电路结构的显示器面板。

主权项

1.一种电路结构，包含多个薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管结构包括：衬底和位于所述衬底之上的由金属氧化物构成的有源层；所述有源层与栅极叠层相毗邻，所述有源层的部分区域上覆盖有第一调节层，所述第一调节层的厚度大于含氧元素的物质在所述第一调节层中的扩散长度；对所述第一调节层进行第一退火处理，所述有源层在第一调节层覆盖下的区域的电阻率降低，所述有源层在所述第一调节层覆盖下的区域分别形成源区、漏区，在非所述第一调节层覆盖下的区域形成沟道区；所述源区、所述漏区与所述沟道区相互连接，且分别位于所述沟道区的两端，所述沟道区与所述栅极叠层相毗邻；所述源区、所述漏区和所述沟道区的连接面自对准于所述第一调节层在所述有源层投影面积之内的边界的铅垂面；所述源区、所述漏区的电阻率小于所述沟道区的电阻率；部分薄膜晶体管的整个沟道区上方设置有第二调节层，对所述第二调节层进行第二退火处理，所述沟道区在所述第二调节层覆盖下的形成耗尽型沟道区，在非所述第二调节层覆盖下的形成增强型沟道区，所述耗尽型沟道区的电阻率小于所述增强型沟道区的电阻率；所述第二调节层的厚度大于所述含氧元素的物质在所述第二调节层中的扩散长度；具有所述耗尽型沟道区的薄膜晶体管为耗尽型薄膜晶体管，具有所述增强型沟道区的薄膜晶体管为增强型薄膜晶体管；所述耗尽型薄膜晶体管和所述增强型薄膜晶体管相互电连接构成电路。