[发明专利]一种超电容用金属离子掺杂花状MnO2纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610966685.4 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106298272A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 戴玉明;朱帅帅;王章忠;李长振;曾钰涵;朱科宇;左震宇;段志英 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人： | 戴朝荣 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超电容用金属离子掺杂花状MnO2纳米片及其制备方法，采用化学沉淀的方法通过掺杂金属离子引导制备纳米片自组装花状的MnO2，其片层厚度为3～5nm；制备过程为：将浓度比为1：1的硫酸锰和过硫酸铵混合水溶液置于超声恒温水浴环境中，同时向混合溶液中匀速滴加浓度为0.001～0.2mol/L的金属盐溶液，随后继续反应0.5～3h。该方法制备流程简单、成本低廉，获得纳米片层自组装而成的花状形貌显著增大电极材料比表面积，同时有利于电解质离子在电极材料体相中的扩散，使其具有优异的电化学性能。扫描速率50mV/s时，测得比电容值可达303.6F/g，阻抗为4.2Ω。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 金属 离子 掺杂 mno2 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超电容用金属离子掺杂花状MnO2纳米片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、配制浓度比为1：1的硫酸锰和过硫酸铵混合水溶液，将其置于超声恒温水浴环境中，同时将金属盐溶液匀速滴加到混合溶液中，随后继续反应一段时间；S2、将反应产物离心洗涤后放入蒸发皿中，干燥后，放入保湿箱中留存。
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