[发明专利]一种压强调控晶体生长反应釜有效

专利信息
申请号: 201610963655.8 申请日: 2016-10-28
公开(公告)号: CN106367804B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 李成明;巫永鹏;王琦;陈蛟;胡耀华;徐永钊;郑小平;卢洪;李顺峰;张国义 申请(专利权)人: 北京大学东莞光电研究院
主分类号: C30B25/08 分类号: C30B25/08;C30B25/16;C30B29/40
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 罗晓林;杨桂洋
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜,包括釜体,釜体内设有晶体生长室,釜体外设有加热装置,釜体内填充有液体镓源,所述釜体内还设有压强调节室,晶体生长室底面设有隔板,该隔板上设有连接孔,该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通,压强调节室上设有增压阀和减压阀,隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口,连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异,可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
搜索关键词: 一种 压强 调控 晶体生长 反应
【主权项】:
1.一种压强调控晶体生长反应釜,包括釜体,釜体内设有晶体生长室,釜体外设有加热装置,釜体内填充有液体镓源,所述釜体内还设有压强调节室,晶体生长室底面设有隔板,该隔板上设有连接孔,该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通,压强调节室上设有增压阀和减压阀,其特征在于,所述隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口,连接孔设置在该衔接管口侧壁。
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