[发明专利]籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法在审
| 申请号： | 201610959940.2 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108018605A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李龙远 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于碳化硅晶体生长的籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法，籽晶处理方法包括以下步骤：向放置有所述籽晶的坩埚中通入包含氢气的气体；加热使坩埚内温度达到预设温度，并使氢气与所述籽晶反应预设时间，以使所述籽晶被刻蚀一定厚度。本发明提供的用于碳化硅晶体生长的籽晶处理方法及碳化硅晶体生长方法，以去除籽晶生长面上的污染、加工损伤以及籽晶的自身缺陷，因此，在处理之后的籽晶上可以生长性能较好的碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 处理 方法 碳化硅 晶体生长 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅晶体生长的籽晶处理方法，其特征在于，包括以下步骤：向放置有所述籽晶的坩埚中通入包含氢气的气体；加热使坩埚内温度达到预设温度，并使氢气与所述籽晶反应预设时间，以使所述籽晶被刻蚀一定厚度。
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