[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201610950863.4 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106356407A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨成绍;操彬彬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法，涉及显示技术领域，可提高薄膜晶体管的稳定性。所述薄膜晶体管包括衬底，设置在所述衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；还包括设置在所述有源层上方且至少与所述沟道区对应的紫外光阻挡层，所述紫外光阻挡层用于吸收紫外光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括衬底，设置在所述衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；其特征在于，还包括设置在所述有源层上方且至少与所述沟道区对应的紫外光阻挡层，所述紫外光阻挡层用于吸收紫外光。
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