[发明专利]非平坦晶体管以及其制造的方法在审
| 申请号： | 201610947914.8 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107123676A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | S·M·乔希;M·哈藤多夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/161 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 张伟,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及非平坦晶体管以及其制造的方法，并且涉及在非平坦晶体管内形成源/漏结构，其中从非平坦晶体管除去鳍间隔件，以便从非平坦晶体管鳍形成源/漏结构，或者用合适的材料代替非平坦晶体管鳍，形成源/漏结构。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非平坦晶体管，包括：至少一个非平坦晶体管鳍；在所述至少一个非平坦晶体管鳍的至少一部分上面形成的至少一个非平坦晶体管栅极，其中所述至少一个非平坦晶体管栅极包括邻近其的间隔件；以及邻近所述至少一个非平坦晶体管栅极的至少一个源/漏结构，其中所述至少一个源/漏结构缺少邻接的间隔件。
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