[发明专利]微电子细胞分析电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610945300.6 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106564853A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;左青云;朱建军;李铭;易春艳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微电子细胞分析电极的制备方法，包括提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上生长多层介质层；刻蚀所述多层介质层以在其中形成电极图形凹槽；在所述多层介质层上沉积扩散阻挡层和金属铜；去除所述多层介质层表面上方的扩散阻挡层和金属铜以形成微电子细胞分析电极；以及将所述微电子细胞分析电极整合到细胞检测板的底部。本发明制作工艺简单，成本低廉，适于大规模制造。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 细胞 分析 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子细胞分析电极的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上生长多层介质层；刻蚀所述多层介质层以在其中形成电极图形凹槽；在所述多层介质层上沉积扩散阻挡层和金属铜；去除所述多层介质层表面上方的扩散阻挡层和金属铜以形成所述微电子细胞分析电极；以及将所述微电子细胞分析电极整合到细胞检测板的底部。
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