[发明专利]功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610941707.1 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106571394A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张邵华 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种功率器件及其制造方法。所述功率器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区的第一区域中的多个第二掺杂区；以及位于所述第一掺杂区的第二区域中的多个第三掺杂区，其中，所述多个第二掺杂区彼此隔开第一预定间距，与所述第一掺杂区形成第一电荷补偿结构，所述第一电荷补偿结构和所述半导体衬底位于电流通道上，所述多个第三掺杂区彼此隔开第二预定间距，与所述第一掺杂区形成第二电荷补偿结构，所述第二电荷补偿结构用于分散所述功率器件连续的表面电场。该功率器件不仅可以稳定器件的耐压，提高可靠性，而且可以降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区的第一区域中的多个第二掺杂区；以及位于所述第一掺杂区的第二区域中的多个第三掺杂区，其中，所述半导体衬底和所述第一掺杂区分别为第一掺杂类型，所述多个第二掺杂区和所述多个第三掺杂区分别为第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，所述多个第二掺杂区彼此隔开第一预定间距，与所述第一掺杂区形成第一电荷补偿结构，所述第一电荷补偿结构和所述半导体衬底位于电流通道上，所述多个第三掺杂区彼此隔开第二预定间距，与所述第一掺杂区形成第二电荷补偿结构，所述第二电荷补偿结构用于分散所述功率器件连续的表面电场；其中，所述多个第二掺杂区的平均掺杂浓度大于所述多个第三掺杂区的平均掺杂浓度，从而利用所述平均掺杂浓度的差异减小元胞区的导通电阻和提高元胞区的击穿电压。
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