[发明专利]一种电容触控轨迹噪声类型的识别方法

摘要

本发明公开了一种电容触控轨迹噪声类型的识别方法，包括以下步骤：S1：平行于电容屏一边进行一次直线触控，对电容屏进行多次扫描，得到电容触控轨迹数据；S2：利用质心法处理所述电容触控轨迹数据，得到电容触控轨迹中各个触控点的位置坐标，依次连接所述各个触控点得到完整的电容触控轨迹；S3：将所述电容触控轨迹分解为真实轨迹和噪声轨迹，采用信号分解方法求解所述噪声轨迹；S4：根据数理统计分析方法，确定所述噪声轨迹的噪声类型，本发明所述技术方案能够对电容触控轨迹的噪声轨迹进行有效分离，实现电容触控轨迹的噪声类型的分析与识别。

主权项

1.一种电容触控轨迹噪声类型的识别方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：平行于电容屏一边进行一次直线触控，对电容屏进行多次扫描，得到电容触控轨迹数据，其中包括：对电容屏进行多次扫描，每次扫描获得的电容触控轨迹数据单帧为其中，k为扫描次数，m为电容屏的驱动电极的个数，n为电容屏的感应电极的个数，将多次扫描获得的多个所述电容触控轨迹数据单帧组成为多帧的电容触控轨迹数据；S2：利用质心法处理所述电容触控轨迹数据，得到电容触控轨迹中各个触控点的位置坐标，依次连接所述各个触控点得到完整的电容触控轨迹,其中包括：S21：以直线触控方向为x方向建立直角坐标系，从而确定所述电容触控轨迹数据单帧中电容值最大的采样点的坐标位置为Pmax(k)＝(Pmaxx(k),Pmaxy(k))其中，Pmaxx(k)为电容值最大的采样点的x方向坐标，Pmaxy(k)为电容值最大的采样点的y方向坐标；S22：将电容值最大的采样点的电容值与预设的阈值进行比较，当所述电容值大于所述阈值时，判定所述采样点为电容触控轨迹上的触控点；S23：确定所述触控点的坐标为所述电容触控轨迹数据单帧中以所述电容值最大的采样点为中心的触控影响区域中的所有采样点的电容值加权，所述触控点的坐标为P(k)＝(Px(k),Py(k))其中，Cxy为电容触控轨迹数据单帧中坐标为(x,y)的采样点的电容值，Ω为触控点的影响区域，Px(k)为扫描时间t时触控点的x方向坐标，Py(k)为扫描时间t时触控点的y方向坐标；S24：依次连接求得的各个触控点的坐标，得到电容触控轨迹；S3：将所述电容触控轨迹分解为真实轨迹和噪声轨迹，采用信号分解方法求解所述噪声轨迹，其中包括：S31：将电容触控轨迹分解为真实轨迹与噪声轨迹两部分P(t)＝PD(t)+n(t)t＝kT0其中，t为扫描时间，T0为扫描间隔，P(t)为电容触控轨迹，PD(t)为真实轨迹，n(t)为噪声轨迹；S32：电容屏触摸轨迹在y方向的真实轨迹为恒定值Y0，则y方向上触控轨迹在t时刻的轨迹为Py(t)＝Y0+ny(t)其中，ny(t)为t时刻叠加在真实轨迹y方向上的噪声轨迹则真实轨迹为其中，T为直线触控的时间长度则噪声轨迹为S4：根据数理统计分析方法，确定所述噪声轨迹的噪声类型。