[发明专利]一种双结型栅氮化镓异质结场效应管有效
| 申请号： | 201610928271.2 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106298911B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;白智元;蒋知广;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种双结型栅氮化镓异质结场效应管(DJG‑HFET)，它包括衬底(310)，缓冲层(311)，沟道层(312)，势垒层(313)以及势垒层(313)上形成的源极(315)、漏极(317)、钝化层(314)以及P型铝铟镓氮(319)，顶栅极(316)与P型铝铟镓氮(319)合称顶P型栅，在源极(315)和漏极(317)外侧为由空间电荷组成的隔离区(318)。在顶栅极(316)下的沟道层(312)下方与顶栅极对称的位置有一层栅介质层(303)、一层P型铝铟镓氮层(302)以及一层背栅(301)，且这三者一同组成了背P型栅，背P型栅与顶P型栅极合称双结型栅。该结构能够有效增加二维电子气的限域性，并解决P型GaN栅极在高栅压时栅控能力变差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双结型栅 氮化 镓异质结 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种双结型栅氮化镓异质结场效应管，它的结构包括:衬底(310)；设置于衬底(310)上的铝铟镓氮缓冲层(311)；所述铝铟镓氮缓冲层(311)上表面中部凸起,凸起处上表面设置铝铟镓氮沟道层(312)；铝铟镓氮沟道层(312)上表面依次设置源极(315)、势垒层(313)、漏极(317)；势垒层(313)上表面中部设置P型铝铟镓氮(319)，两侧设置钝化层(314)，所述源极(315)、漏极(317)、P型铝铟镓氮(319)、钝化层(314)的上表面齐平；P型铝铟镓氮(319)上表面设置顶栅极(316)；所述铝铟镓氮缓冲层(311)两侧凹台上设置隔离区(318)，隔离区(318)上表面与势垒层(313)上面齐平；隔离区上再设置钝化层(314)；其特征在于所述场效应管底部开设有沟槽，该沟槽位置对应于顶栅极(316)的位置，所开沟槽的顶部位于铝铟镓氮沟道层(312)内；沟槽内从上到下依次设置栅介质层(303)、P型铝铟镓氮层(302)、背栅(301)，其中栅介质层(303)的底面与铝铟镓氮沟道层(312)底面齐平，背栅(301)底面与铝铟镓氮缓冲层(311)底面齐平；所述栅介质层(303)与P型铝铟镓氮层(302)大小正好填充开设的沟槽，所述背栅(301)位于沟槽中其侧壁不与铝铟镓氮缓冲层(311)连接。
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