[发明专利]缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站有效
| 申请号： | 201610926238.6 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107017840B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 林谦司 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03B5/36;H03L1/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站。缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与第1MOSFET极性相同，第1栅极与第2栅极被电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 电路 半导体 集成电路 装置 振荡器 电子设备 基站 | ||
【主权项】：
一种缓冲电路，其中，该缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与所述第1MOSFET极性相同，所述第1栅极与所述第2栅极被电连接。
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