[发明专利]一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法有效
| 申请号： | 201610916238.8 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107961806B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 杨明辉;李悦;熊锋强;万里鹏;焦雨桐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J37/08 |
| 代理公司： | 21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 采用惰性气氛退火处理钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体SrNbO | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿型锶铌氮 氧化物 半导体 光催化剂 活化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体光催化剂活化方法，其特征在于：钙钛矿型锶铌氮氧化物半导体在惰性气氛中退火处理，提高半导体光催化剂活性;惰性气氛退火处理温度为550-950℃；升温速率为1-1000℃/分钟；保温时间为 1-120分钟；降温速率为1-1000℃/分钟。/n
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