[发明专利]具有直接存取的多级存储器有效
| 申请号： | 201610912901.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107092561B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/08;G06F3/06;G06F12/1009;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶菲;姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 直接 存取 多级 存储器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将第一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作用于计算系统的存储器；将第二量的NVRAM指定为用作用于计算系统的存储装置；基于被指定用作存储器的所述第一量的NVRAM来生成存储器重映射表；基于被指定用作存储装置的所述第二量的NVRAM来生成存储装置重映射表；以及响应于所述第一量的NVRAM的一部分用作存储装置的第一重新指定或所述第二量的NVRAM的一部分用作存储器的第二重新指定来更新所述存储器和存储装置重映射表。
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