[发明专利]一种活性层材料及其在制备三进制存储器件中的应用有效
| 申请号： | 201610907342.0 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106449975B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 徐庆锋;路建美;王丽华;蒋军 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;孙周强 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种活性层材料及其在制备三进制存储器件中的应用；通过合成聚4‑(4‑甲基丙烯酰氧基)‑偶氮)吡啶并以溶液旋涂的方法制备成薄膜，通过分子自组装的方法在聚合物表面组装了一层金属配合物，再以溶液旋涂的方法制备一层聚合物薄膜，得到活性层。通过本发明活性层制备的器件实现了稳定的多进制存储，尤其本发明通过分子自组装的方法在聚合物中间引入一层配合物层从而实现了器件由二进制存向三进制存储的转变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 活性 材料 及其 制备 三进制 存储 器件 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种活性层材料，包括聚合物层以及配合物层；两层聚合物层之间设有一层配合物层；所述聚合物为聚4‑(4‑甲基丙烯酰氧基)‑偶氮)吡啶；所述配合物包括有机铂、有机钯、有机钴、有机铜中的一种或几种；所述聚合物层的厚度为40～60纳米；配合物层的厚度为2～3纳米。
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