[发明专利]一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201610906824.4 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106542828A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吕文中;丁利文;范桂芬;姜海;史玉升;李晨辉 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/63;C04B35/64 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷，包括氮化铝、氧化钇和氟化镧，氮化铝的质量百分比为95％～97％，氧化钇的质量百分比为2％，氟化镧的质量百分比为1％～3％。还公开了制备氮化铝陶瓷的方法，包括将氮化铝粉体、氧化钇和氟化镧混合，经湿法球磨、干燥、造粒、压制并烧结，制得氮化铝陶瓷。本发明所提供的氮化铝陶瓷烧结温度低至1700℃～1800℃，其热导率可达到160～200W/(m·K)，介电常数为9～10，介电损耗为0.8×10‑3～1.3×10‑3，可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 高热 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷，其特征在于，包括氮化铝、氧化钇和氟化镧，所述氮化铝的质量百分比为95％～97％，所述氧化钇的质量百分比为2％，所述氟化镧的质量百分比为1％～3％。
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