[发明专利]一种用于提高衬底金属捕获能力的CIS硅片处理方法在审
| 申请号： | 201610902791.6 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106504978A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张召;王智;苏俊铭;倪立华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于提高衬底金属捕获能力的CIS硅片处理方法，其包括提供半导体硅衬底，在所述半导体硅衬底背面依照现有CIS产品片制作工艺完成背面淀积低温氧化膜；在完成低温氧化膜背封的基础上，在所述半导体硅衬底正面进行碳原子的注入片制造工序，作为增加硅基体缺陷密度的方法，加大对金属元素的捕获能力；在所述半导体衬底的正面进行EPI外延层的生长，完成产品片制造工序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 衬底 金属 捕获 能力 cis 硅片 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于提高衬底金属捕获能力的CIS硅片处理方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供半导体硅衬底，在所述半导体硅衬底背面依照现有CIS产品片制作工艺完成背面淀积低温氧化膜；步骤S2：在完成低温氧化膜背封的基础上，在所述半导体硅衬底正面进行碳原子的注入片制造工序，增加硅基体缺陷密度，以加大对金属元素的捕获能力；步骤S3：在所述半导体衬底的正面进行EPI外延层的生长，完成产品片制造工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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