[发明专利]多区域的功率半导体器件有效
| 申请号： | 201610893921.4 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106920841B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 苏明 | 申请（专利权）人： | 福特全球技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王秀君;鲁恭诚 |
| 地址： | 美国密歇根*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多区域的功率半导体器件。一种功率半导体器件由具有相似结构的多个区域构成。所述区域中的每个可通过在切换到非导通状态期间的开关损耗来表征。所述器件被构造为使得开关损耗在所述区域中的至少两个区域之间不同。此外，所述器件被构造为使得具有较大的开关损耗的区域在具有较小的开关损耗的区域之前切换到非导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一区域和第二区域，分别包括多个栅极区，所述多个栅极区经由发射极区和基极区连接到发射极并连接到设置在集电极区上的漂移区，第一区域被构造为：(i)在切换到非导通状态期间比第二区域具有更大的开关损耗；(ii)在第二区域之前切换到非导通状态。
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