[发明专利]多区域的功率半导体器件

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括：

第一区域和第二区域，分别包括多个栅极区，所述多个栅极区经由发射极区和基极区连接到发射极并连接到设置在集电极区上的漂移区，第一区域被构造为：(i)在切换到非导通状态期间比第二区域具有更大的开关损耗；(ii)在第二区域切换到非导通状态之前切换到非导通状态。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，第一区域的集电极区具有比第二区域的集电极区的掺杂浓度更大的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，由于第一区域与第二区域之间不同的复合寿命减少处理，第一区域的漂移区在导通状态期间比第二区域的漂移区具有更多的存储电荷。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，栅极区电连接到共同的栅极信号。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，栅极绝缘层将栅极区与相邻的区分隔开，第一区域的栅极绝缘层的厚度大于第二区域的栅极绝缘层的厚度。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，第一区域的基极区具有比第二区域的基极区的掺杂浓度更大的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，第一区域和第二区域还被构造为使得第一区域在第二区域接收到用于切换到非导通状态的请求之前接收用于切换到非导通状态的请求。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其中，第二区域的栅极区连接到具有预定电阻值的栅极信号，所述预定电阻值降低来自第二区域的栅极电容的放电电流的水平，其中，所述预定电阻值大于与第一区域的栅极区关联的电阻值。