[发明专利]ESD保护器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610891006.1 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106449636B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 姚飞;王世军;殷登平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/866;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11449 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ESD保护器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的半导体埋层；位于所述半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层包括第一掺杂区和第二掺杂区，其中所述半导体衬底和所述第一掺杂区分别为第一掺杂类型，所述半导体埋层、所述外延半导体层和所述第二掺杂区分别为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂区与所述外延半导体层之间形成多个界面。本发明可在不增大ESD保护器件寄生电容的情况下提高ESD保护性能和最大的电流承受能力。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ESD保护器件，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n位于所述半导体衬底中的半导体埋层；/n位于所述半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层包括第一掺杂区和第二掺杂区，其中/n所述半导体衬底和所述第一掺杂区分别为第一掺杂类型，所述半导体埋层、所述外延半导体层和所述第二掺杂区分别为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反，所述第一掺杂区与所述外延半导体层之间形成多个界面；/n所述半导体衬底和所述半导体埋层构成稳压二极管，所述第一掺杂区以及所述外延半导体层构成一个整流二极管，所述第二掺杂区、所述外延半导体层以及所述半导体衬底构成另一整流二极管，所述半导体衬底和所述第一掺杂区作为阳极，所述第二掺杂区作为阴极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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