[发明专利]一种降低深槽型超结MOSFET制造成本的制造方法在审
| 申请号： | 201610886331.9 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106340458A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;薛璐;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人： | 刘洪京 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低深槽型超结MOSFET制造成本的制造方法，属于MOSFET制造方法技术领域。方法包括以下步骤步骤1 提供衬底材料；步骤2 进行沟槽刻蚀；步骤3 在步骤2的沟槽中生长P型外延层；步骤4 使用磷注入来降低表面电阻率；步骤5 生长栅氧化层并沉积多晶硅；步骤6 刻蚀步骤5的多晶硅；步骤7 硼注入并高温扩散；步骤8 砷注入并高温扩散；步骤9 沉积绝缘层；步骤10 开接触孔；步骤11 沉积金属。本发明的制造方法在不影响产品性能的同时减少光照次数缩短制程周期，大大减少了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 深槽型超结 mosfet 制造 成本 方法 | ||
【主权项】：
一种降低深槽型超结MOSFET制造成本的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1 提供衬底材料；步骤2 进行沟槽刻蚀；步骤3 在步骤2的沟槽中生长P型外延层；步骤4 使用磷注入来降低表面电阻率；步骤5 生长栅氧化层并沉积多晶硅；步骤6 刻蚀步骤5的多晶硅；步骤7 硼注入并高温扩散；步骤8 砷注入并高温扩散；步骤9 沉积绝缘层；步骤10 开接触孔；步骤11 沉积金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
