[发明专利]晶圆化学气相淀积反应装置的进气结构在审
申请号: | 201610885351.4 | 申请日: | 2016-10-10 |
公开(公告)号: | CN106381478A | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 吕耀安 | 申请(专利权)人: | 无锡宏纳科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人: | 孙力坚,聂启新 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶圆化学气相淀积反应装置的进气结构,包括腔体,腔体上设有进气端及出气端,所述腔体的内腔包括上部的反应腔及下部的增压腔,导气管设置于所述反应腔中,所述导气管的两端与所述增压腔连通,所述增压腔与腔体外的增压泵连接。本发明的结构简单,紧凑;采用增压方式,提高反应速度,即提高薄膜的成型速度。 | ||
搜索关键词: | 化学 气相淀积 反应 装置 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆化学气相淀积反应装置的进气结构,包括腔体(1),腔体(1)上设有进气端(101)及出气端(102),其特征在于:所述腔体(1)的内腔包括上部的反应腔(10)及下部的增压腔(11),导气管(3)设置于所述反应腔(10)中,所述导气管(3)的两端与所述增压腔(11)连通,所述增压腔(11)与腔体(1)外的增压泵(5)连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡宏纳科技有限公司,未经无锡宏纳科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610885351.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法及装置
- 下一篇:晶圆化学气相淀积反应装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的