[发明专利]沉积方法、含添加物的氮化铝膜及包括该膜的压电器件有效
| 申请号： | 201610884531.0 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107012422B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·R·伯吉斯;R·辛德曼;阿米特·拉斯托吉;斯科特·海莫尔;康斯坦尼·弗拉戈斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过脉冲DC反应溅射沉积含添加物的氮化铝膜的方法，该氮化铝膜含有选自Sc、Y、Ti、Cr、Mg和Hf中的至少一种添加元素，该方法包括以下步骤：利用施加至膜基底的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述膜基底上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第一层；以及未对所述膜基底施加电偏压功率或利用施加至所述膜基底的比在溅射沉积所述第一层期间所施加的电偏压功率低的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射在所述第一层上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第二层，所述第二层与所述第一层具有相同的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 添加物 氮化 包括 压电 器件 | ||
【主权项】：
一种通过脉冲DC反应溅射沉积含添加物的氮化铝膜的方法，所述含添加物的氮化铝膜含有选自Sc、Y、Ti、Cr、Mg和Hf中的至少一种添加元素，所述方法包括以下步骤：利用施加至膜基底的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射，在所述膜基底上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第一层；以及未对所述膜基底施加电偏压功率，或者利用施加至所述膜基底的比在溅射沉积所述第一层期间所施加的电偏压功率低的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射，在所述第一层上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第二层，所述第二层与所述第一层具有相同的组成。
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