[发明专利]气相刻蚀装置及设备

摘要

公开了一种气相刻蚀装置及设备。该装置包括：反应腔主体，其内形成有反应腔室；基座，处于反应腔室内部，用于承载晶片；进气件，连接到反应腔主体，向反应腔室内部通入刻蚀剂；以及压力组件，连接到反应腔主体，控制反应腔室的压力。该装置还包括：第一温度控制器，连接到反应腔主体，控制反应腔室的温度为第一温度，使反应腔室不被刻蚀剂腐蚀；以及第二温度控制器，连接到基座，控制基座的温度为第二温度，使晶片能够直接进行下一步工艺。根据本发明的装置通过分别控制反应腔室和放置晶片的基座的温度，使得去除二氧化硅后的晶片无需冷却，无需在刻蚀腔室中集成退火功能或独立的退火腔室，更无需配置单独的冷却腔室。

主权项

一种气相刻蚀装置，所述装置包括：反应腔主体，所述反应腔主体内形成有反应腔室；基座，所述基座处于所述反应腔室的内部，用于承载晶片；进气件，所述进气件连接到所述反应腔主体，通过所述进气件向所述反应腔室的内部通入刻蚀剂；以及压力组件，所述压力组件连接到所述反应腔主体，控制所述反应腔室的压力，其特征在于，所述装置还包括：第一温度控制器，所述第一温度控制器连接到所述反应腔主体，控制所述反应腔室的温度为第一温度，所述第一温度使所述反应腔室不被所述刻蚀剂腐蚀；以及第二温度控制器，所述第二温度控制器连接到所述基座，控制所述基座的温度为第二温度，所述第二温度使所述晶片能够直接进行下一步工艺。