[发明专利]一种掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，通过多元素掺杂协同效应降低氧化锡透明导电薄膜的方块电阻，多元素掺杂形成的掺杂氧化锡透明导电薄膜的化学组成为Sn1‑ySbyO2‑xFxPz，其中，x=0.1‑0.8,y=0.02‑0.2,z=0.02‑0.2。制备过程包括玻璃基体上二氧化硅过渡层涂覆、掺磷氧化锡纳米溶胶制备、掺磷氧化锡凝胶薄膜制备、多孔凝胶薄膜中填充氟化锑、多元素掺杂凝胶薄膜高温烧结和致密透明导电薄膜形成六部分。本发明多元素掺杂氧化锡透明导电薄膜透光率高和方块电阻低，能够作为大面积薄膜太阳电池透明电极应用。

主权项

一种掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征是在采用溶胶‑凝胶法制备的结构比较疏松的氧化锡凝胶薄膜中进一步填充掺杂磷、氟、锑的化合物，通过多元素掺杂协同效应降低氧化锡透明导电薄膜的方块电阻，多元素掺杂形成的掺杂氧化锡透明导电薄膜的化学组成为：Sn1‑ySbyO2‑xFxPz ，其中，x=0.1‑0.8，y=0.02‑0.2，z=0.02‑0.2，采取的技术方案包括在太阳电池玻璃基体上涂覆二氧化硅过渡层、掺磷氧化锡纳米溶胶制备、掺磷氧化锡凝胶薄膜制备、多孔氧化锡凝胶薄膜中填充氟化锑、多元素掺杂凝胶薄膜高温烧结和致密透明导电薄膜形成六部分，所述多元素掺杂凝胶薄膜高温烧结为将多元素掺杂镀膜玻璃基体加热到300℃，达到350‑400℃时升温速度降低到3‑5℃/min，使填充的磷、锑、氟的化合物高温熔融完全掺杂，最后在500℃下烧结30分钟，使掺杂氧化锡薄膜孔隙率为5%‑10%。