[发明专利]含铝介电层的形成方法在审
| 申请号： | 201610868198.4 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106571290A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 瑞姆瓦尔·彼德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种含铝层的形成方法。上述方法包括提供基材至原子层沉积室中；以及于原子层沉积室中，进行一或多次的包含第一步骤和第二步骤的一循环，以提供复合层，其中进行此循环的第一步骤包含施加第一前驱物至基材上，第一前驱物包括具有第一分子量的非铝基成分；以及施加第二前驱物至基材上，第二前驱物包含具有第二分子量的含铝成分，其中第二分子量小于第一分子量，且进行此循环的第二步骤包含施加第一前驱物至基材上。本发明的方法可制得厚度较薄且低铝原子百分比的含铝层。 | ||
| 搜索关键词： | 含铝介电层 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种含铝介电层的形成方法，其特征在于包含：提供一基材至一原子层沉积室中；以及于该原子层沉积室中，进行一或多次的包含第一步骤和一第二步骤的一循环，以提供一复合层，其中进行该循环的该第一步骤包含：施加一第一前驱物至该基材上，其中该第一前驱物包含具有一第一分子量的一非铝基成分；以及施加一第二前驱物至该基材上，其中该第二前驱物包含具有一第二分子量的一铝基成分，且该第二分子量低于该第一分子量，且其中进行该循环的该第二步骤包含施加该第一前驱物至该基材上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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