[发明专利]一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201610863076.6 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106299053B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法，方法包括：在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；在电子注入层上蒸镀一阴极，形成QLED。本发明在量子点发光层上沉积一层功能材料，然后利用飞秒激光多光束干涉法或其他方法制备出具有光子晶体结构的电子阻隔层，利用光子晶体的表面效应，从而有效利用量子点射向金属电极一侧的光，提高量子点发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体结构 量子 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：/nA、在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；/nB、然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；/nC、在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；/nD、在电子注入层上蒸镀一阴极，形成QLED；/n所述光子晶体结构包括均匀排列的多个圆孔；/n相邻圆孔中心之间的间距为200-300nm；/n所述圆孔的直径为100～200nm。/n
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