[发明专利]一种逆阻型绝缘栅双极晶体管终端结构在审
| 申请号： | 201610862063.7 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106252401A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张广银;杨飞;朱阳军;卢烁今;谭骥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端结构，包括正面终端结构和背面终端结构。其中，背面终端结构具有扩散隔离P+区结构，正面终端结构具有隔离沟槽结构。扩散隔离P+区结构中硼离子扩散深度由扩散时间决定。隔离沟槽结构的深度保证与扩散隔离P+区结构相贯通即可，因此扩散深度减小，从而减小了热预算，降低了横向扩散程度，节约了芯片面积，同时，对沟槽刻蚀技术的高深宽比要求降低，使硼离子的注入和填充工艺难度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 绝缘 双极晶体管 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种逆阻型绝缘栅双极晶体管终端结构，包括正面终端结构和背面终端结构，其特征在于：所述正面终端结构具有隔离沟槽结构；所述背面终端结构具有扩散隔离P+区结构。
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