[发明专利]缺陷检查方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201610854918.1 申请日: 2016-09-27
公开(公告)号: CN107024541B 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 酒井薰;菊池修;佐原健司 申请(专利权)人: 株式会社日立电力解决方案
主分类号: G01N29/06 分类号: G01N29/06;G01N29/44
代理公司: 72002 永新专利商标代理有限公司 代理人: 安香子;黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供缺陷检查方法及其装置,在对于半导体晶片或MEMS晶片等包含微细且多层构造的被检查体的超声波检查中,能够将存在于内部的不良与正常图案分离而高灵敏度地检测。将形成有图案的被检查体进行摄像而取得被检查体的图像,根据所取得的被检查体的图像制作不包含缺陷的基准图像,并制作用于从所取得的被检查体的图像将非缺陷像素进行掩蔽的多值掩码,将被检查体的图像和基准图像的明亮度进行对照来计算缺陷可靠度,将计算出的缺陷可靠度与制作出的多值掩码进行比较来检测缺陷。
搜索关键词: 缺陷 检查 方法 及其 装置
【主权项】:
1.一种缺陷检查方法,其特征在于,/n将形成有图案的被检查体进行摄像而取得上述被检查体的图像;/n根据所取得的上述被检查体的图像,制作不包含缺陷的基准图像;/n根据所取得的上述被检查体的图像,制作为了将非缺陷像素进行掩蔽而按上述被检查体的图像内的每个像素计算多个亮度值中的某个值并进行设定的多值掩码;/n将上述被检查体的图像与上述基准图像的明亮度进行对照而计算缺陷可靠度,该缺陷可靠度表示上述被检查体的图像相对于上述基准图像的亮度值背离的程度;/n将计算出的上述缺陷可靠度与制作出的上述多值掩码进行比较而检测缺陷。/n
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