[发明专利]一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610854436.6 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106282924B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;吕智轩;刘金东;王登尧 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/02 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域。所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为4.8‑8.0W/cm2。本发明通过控制磁控溅射过程中铟锡氧化物靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同择优取向的铟锡氧化物薄膜材料，实现铟锡氧化物薄膜材料择优取向的可调控。 | ||
| 搜索关键词： | 铟锡氧化物薄膜 磁控溅射 晶面 制备 择优取向 铟锡氧化物靶 表面加工 体心立方 涂层领域 可调控 铁锰矿 多晶 | ||
【主权项】：
1.一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为4.8‑8.0W/cm2，所述铟锡氧化物薄膜材料的厚度≥100nm，所述磁控溅射的工作气体为高纯氩。
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