[发明专利]一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610854436.6 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106282924B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;吕智轩;刘金东;王登尧 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/02 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟锡氧化物薄膜 磁控溅射 晶面 制备 择优取向 铟锡氧化物靶 表面加工 体心立方 涂层领域 可调控 铁锰矿 多晶 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为4.8-8.0W/cm2，所述铟锡氧化物薄膜材料的厚度≥100nm，所述磁控溅射的工作气体为高纯氩。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的温度为室温。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的靶材为高纯铟锡氧化物靶，铟锡氧化物的纯度为99.99％，其中：三氧化二铟的质量百分比为90wt.％，二氧化锡的质量百分比为10wt.％。
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