[发明专利]一种SiGe/Si外延片生长方法在审
| 申请号： | 201610841188.1 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106298457A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种SiGe/Si外延片生长方法，包括以下步骤：提供并清洗单晶Si衬底；在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层；在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层，所述掺碳缓冲层中碳含量小于1％；在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层；在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。本发明通过引入碳纳米管层以及掺碳缓冲层共同作用，减少了外延生长过程中的位错，减少了外延片缺陷，提高了锗硅外延片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige si 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe/Si外延片生长方法，其特征在于，包括以下步骤：提供并清洗单晶Si衬底；在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层；在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层，所述掺碳缓冲层中碳含量小于1％；在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层；在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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