[发明专利]一种III-V族半导体晶体的生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 201610839770.4 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106283176B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种III‑V族半导体晶体的生长装置，包括：石英管(1)，所述石英管包括上部的圆柱等径区(1‑1)、中部的倒锥形扩肩区(1‑2)以及底部的圆柱籽晶区(1‑3)；设置于所述石英管内部的坩埚(2)，所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2‑1)、中部的倒锥形扩肩区(2‑2)以及底部的锥形籽晶区(2‑3)；设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4)；设置于所述石英支撑环上的石英槽(3)，所述石英槽(3)的中心位置设置有开口。 | ||
| 搜索关键词： | 石英管 等径 生长装置 倒锥形 石英槽 支撑环 籽晶区 石英 肩区 坩埚 半导体晶体 晶体的 内侧壁 开口 生长 | ||
【主权项】：
1.一种采用III‑V族半导体晶体的生长装置生长III‑V族半导体晶体的方法，其特征在于，所述III‑V族半导体晶体的生长装置包括：石英管(1)，所述石英管包括上部的圆柱等径区(1‑1)、中部的倒锥形扩肩区(1‑2)以及底部的圆柱籽晶区(1‑3)；设置于所述石英管内部的坩埚(2)，所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2‑1)、中部的倒锥形扩肩区(2‑2)以及底部的锥形籽晶区(2‑3)，所述坩埚上部的圆柱等径区(2‑1)以及中部的倒锥形扩肩区(2‑2)用于盛放第III主族元素；设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4)；设置于所述石英支撑环上的石英槽(3)，所述石英槽(3)的中心位置设置有开口，所述石英槽(3)用于盛放第V主族元素；所述方法包括以下步骤：A)将锥形籽晶置于坩埚底部的锥形籽晶区(2‑3)，将第III主族元素置于坩埚上部的圆柱等径区(2‑1)以及中部的倒锥形扩肩区(2‑2)，将第V主族元素置于石英槽(3)中，得到装有原料的III‑V族半导体晶体的生长装置；B)将上述生长装置抽真空后密封，置于长晶炉中升温长晶，得到III‑V族半导体晶体。
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