[发明专利]一种双层电极LED芯片及其制作方法有效
| 申请号: | 201610839234.4 | 申请日: | 2016-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN106410007B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
| 发明(设计)人: | 徐亮;何键云 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
| 地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明提供一种双层电极LED芯片及其制作方法,通过两层电极结构的设计,在第一层电极外形成高电极电位第二层电极,且第二层电极把第一层电极全覆盖,有效防止第一层电极在通电以及弱电解条件下发生水解,提高芯片的可靠性。此外,在第二层电极外形成钝化层,进一步防止环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气进入芯片内部,有效地保护芯片的金属电极,防止在第一层电极或第二层电极在通电以及弱电解条件下发生水解,提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 双层 电极 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种双层电极LED芯片的制作方法,包括:提供一衬底;在所述衬底任意一表面形成发光微结构,所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层,位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极,位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层,位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层,位于所述透明电极导电层背离所述衬底一侧的第二电极,所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘,所述第一电极和第二电极统称为第一层电极;在所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第二层电极,所述第二层电极将第一层电极完全包覆,其中所述第二层电极的电极电位高于所述第一层电极的电极电位;形成钝化层,所述钝化层覆盖所述第二层电极、且延伸覆盖至所述透明电极导电层和第一半导体层;所述第一层电极由Cr、Al、Ti、Ni、Mg、Sn、Co中的一种或者几种金属制成;所述第二层电极由Pt、Pd、Au中的一种或者几种金属制成。
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