[发明专利]半导体器件及其形成方法有效

申请号：	201610824040.7	申请日：	2016-09-14
公开（公告）号：	CN107039276B	公开（公告）日：	2020-01-03
发明（设计）人：	张家铭;刘继文;黄信杰;李政键	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
代理公司：	11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	半导体器件包括衬底、至少一个半导体鳍和至少一个外延结构。半导体鳍存在于衬底上。半导体鳍上具有至少一个凹槽。外延结构存在于半导体鳍的凹槽中。外延结构的最顶位置的n‑型杂质浓度低于位于最顶位置下方的外延结构的位置的n‑型杂质浓度。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。
搜索关键词：	半导体器件及其形成方法
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【主权项】：

1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n至少一个半导体鳍，存在于所述衬底上，所述半导体鳍上具有至少一个凹槽；以及/n至少一个外延结构，存在于所述半导体鳍的所述凹槽中，其中，所述外延结构的最顶位置的n-型杂质浓度低于位于所述最顶位置下方的所述外延结构的位置的n-型杂质浓度，/n其中，所述外延结构包括最顶层和位于所述最顶层下面的第一层，所述最顶位置位于所述最顶层上，所述最顶层的n-型杂质浓度是空间变化的，并且所述最顶层的所述n-型杂质浓度低于所述第一层的n-型杂质浓度。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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