[发明专利]一种用于非易失性存储器的读操作方法及装置有效
| 申请号： | 201610821886.5 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN106356095B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 杜智超;王颀;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于非易失性存储器的读操作方法，包括：在选中的字线上施加第一读取电压，并在未被选中的字线上施加读通电压后，分次经不同的位线感测选中的字线上连接的全部存储单元管的状态；之后，在所述选中的字线上施加第二读取电压，并在所述未被选中的字线上施加所述读通电压后，再经相应的位线感测上次感测出状态为关态的存储单元管的状态。第一读取电压小于第二读取电压。本发明实施例提供的用于非易失性存储器的读操作方法，通过先分次将导通电流大的存储单元管读出，在读取剩余的存储单元管，减小了感测时共源线上的电流，从而降低了共源线上的噪声对读操作的干扰，提高读操作的精度和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 非易失性存储器 操作方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于非易失性存储器的读操作方法，其特征在于，所述非易失性存储器，包括：存储单元管阵列、页缓存电路、电压生成电路和控制电路；每列存储单元管通过一条位线连接所述页缓存电路，每行存储单元管的栅极通过一条字线连接所述电压生成电路，所述控制电路用于控制所述页缓存电路和所述电压生成电路；所述方法，包括：/n步骤一：控制所述电压生成电路在选中的字线上施加第一读取电压，并在未被选中的字线上施加读通电压；/n步骤二：逐一发送n个控制信号至所述页缓存电路，以控制所述页缓存电路通过第一位线集合中的全部位线感测所述选中的字线上连接的存储单元管的状态，n为正整数，所述n个控制信号携带有所述非易失性存储器中全部位线的位线标识，每个控制信号所携带的位线标识不同，所述第一位线集合包括本次发送的控制信号中携带的全部位线标识所指示的位线；/n步骤三：控制所述电压生成电路在所述选中的字线上施加第二读取电压，并在所述未被选中的字线上施加所述读通电压，所述第二读取电压大于所述第一读取电压；/n步骤四：控制所述页缓存电路通过第二位线集合感测存储单元管集合中全部存储单元管的状态，所述第二位线集合包括所述存储单元管集合中全部存储单元管所连接的位线，所述存储单元管集合包括在上次感测时感测到的状态为关态的全部存储单元管。/n
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