[发明专利]具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器

摘要

本申请案涉及一种具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器。图像传感器包含在半导体衬底中彼此穿插其中的第一及第二多个光电二极管。入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中。相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度。金属膜层安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方，且未安置于所述第一多个光电二极管上方。金属栅格安置于所述半导体衬底的所述表面上方，且包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导到所述第一多个光电二极管中。所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属膜层到所述第二多个光电二极管中。

主权项

一种图像传感器，其包括：第一多个光电二极管，其布置于半导体衬底中；第二多个光电二极管，其布置于所述半导体衬底中，其中所述第一及第二多个光电二极管在所述半导体衬底中彼此穿插其中，其中入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中，其中相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度；金属膜层，其安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属膜层未安置于所述第一多个光电二极管上方；及金属栅格，其安置于所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属栅格包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导通过金属栅格，且接着通过所述表面到所述第一多个光电二极管中，其中所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属栅格，且接着通过所述金属膜层及所述表面到所述第二多个光电二极管中。