[发明专利]一种GaN基集成器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610815101.3 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106252373B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;戴亚伟;郑亮;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;陆尤<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光电技术领域，具体为一种GaN基集成器件及其制备方法。本发明器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底的发光二极管器件区，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极；高电子迁移率晶体管，位于所述GaN衬底的高电子迁移率晶体管器件区，自下而上依次包括AlN阻挡层、AlGaN势垒层以及位于所述AlGaN势垒层上的栅极和源极，其中所述AlN阻挡层和所述AlGaN势垒层与所述n型GaN层相接触。本发明器件能够有效避免由于位错问题导致的器件性能的退化，同时通过改变高电子迁移率晶体管的栅压可以精确调控发光二极管的发光强度，有助于更好的应用在智能照明领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 集成 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基集成器件，其特征在于，包括：/nGaN衬底；/n发光二极管，位于所述GaN衬底的发光二极管器件区，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型 GaN层和顶电极；以及/n高电子迁移率晶体管，位于所述GaN衬底的高电子迁移率晶体管器件区，自下而上依次包括AlN阻挡层、AlGaN 势垒层以及位于所述AlGaN势垒层上的栅极和源极，其中所述AlN阻挡层和所述AlGaN 势垒层与所述n型GaN层相接触，/n所述GaN衬底的发光二极管器件区的厚度与所述GaN衬底的高电子迁移率晶体管器件区的厚度相比较小。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
