[发明专利]存储器装置及操作存储器的方法有效
| 申请号： | 201610812714.1 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN107068184B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李永骏;张育铭;林秉贤;李祥邦 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种操作每一存储单元单一位的存储器的方法，包括由设定一第一范围阈值电压中的阈值电压，擦除一存储单元群组，建立一第一逻辑值。在擦除后，第一写入包括编程第一选择的存储单元，由设定一第二范围阈值电压中的阈值电压以建立一第二逻辑值，及保存一感测状态参数以指示一第一读取电压。在第一写入后，第二写入包括编程第二选择的存储单元，由设定一第三范围阈值电压中的阈值电压以建立该第二逻辑值，及保存该感测状态参数以指示一第二读取电压。在包括第一写入及第二写入的一些写入达到写入存储单元组的一临界数量后，存储单元组可被擦除。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种操作存储器的方法，包括：通过设定一第一阈值电压范围中的阈值电压，擦除一存储单元组，该存储单元组建立一第一逻辑值在该存储单元组中；在所述的擦除之后，第一写入包括编程该存储单元组中第一选择的存储单元，通过设定一第二阈值电压范围中的阈值电压以建立一第二逻辑值，该第二阈值电压范围不同于该第一阈值电压范围，以及保存一感测状态参数以指示一第一读取电压；在所述的第一写入之后，第二写入包括编程该存储单元组中第二选择的存储单元，通过设定一第三阈值电压范围中的阈值电压以建立该第二逻辑值，该第三阈值电压范围不同于该第一阈值电压范围及该第二阈值电压范围，以及保存该感测状态参数以指示一第二读取电压；以及在包括所述的第一写入及所述的第二写入达到写入该存储单元组的一临界数量后，擦除该存储单元组。
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