[发明专利]存储器装置及操作存储器的方法

权利要求书

1.一种操作存储器的方法，包括：

通过设定一第一阈值电压范围中的阈值电压，擦除一存储单元组，该存储单元组建立一第一逻辑值在该存储单元组中；

在所述的擦除之后，第一写入包括编程该存储单元组中第一选择的存储单元，通过设定一第二阈值电压范围中的阈值电压以建立一第二逻辑值，该第二阈值电压范围不同于该第一阈值电压范围，以及保存一感测状态参数以指示一第一读取电压，所述第二阈值电压范围宽度大于第一阈值电压的范围宽度；

在所述的第一写入之后，第二写入包括编程该存储单元组中第二选择的存储单元，通过设定一第三阈值电压范围中的阈值电压以建立该第二逻辑值，该第三阈值电压范围不同于该第一阈值电压范围及该第二阈值电压范围，以及保存该感测状态参数以指示一第二读取电压；以及

在包括所述的第一写入及所述的第二写入达到写入该存储单元组的一临界数量后，擦除该存储单元组；

其中，用于该第二写入的脉冲编程序列具有比用于该第一写入的脉冲编程序列大的编程电压步阶。

2.如权利要求1项所述的方法，包括在所述的擦除后，设定该感测状态参数以指示该第一读取电压以感测一存储单元逻辑值，其中表示该第一逻辑值的一阈值电压范围在所述的第二写入后与该第二阈值电压范围重叠。

3.如权利要求1项所述的方法，其中

所述的第一写入包括使用该第一阈值电压范围及该第二阈值电压范围之间且高于该第一读取电压的一第一编程验证电压编程以设定在该第二阈值电压范围中的阈值电压；以及

所述的第二写入包括使用该第二阈值电压范围及该第三阈值电压范围之间且高于该第二读取电压的一第二编程验证电压编程以设定在该第三阈值电压范围中的阈值电压。

4.如权利要求1项所述的方法，包括：

在所述的第二写入之后，第三写入包括编程该存储单元组中第三选择的存储单元，通过设定一第四阈值电压范围中的阈值电压以建立该第二逻辑值，该第四阈值电压范围不同于该第一阈值电压范围、该第二阈值电压范围及该第三阈值电压范围，以及保存该感测状态参数以指示一第三读取电压。

5.如权利要求1项所述的方法，包括：

施加多个编程脉冲及各别的编程验证脉冲，这些编程验证脉冲在一脉冲编程序列中的这些编程脉冲之后，递增地增加用于编程该存储单元组中的存储单元的这些编程脉冲的编程电压。

6.如权利要求5项所述的方法，其中，

所述的第二写入在比所述的第一写入高的编程电压启动该脉冲编程序列；以及

在所述的第二写入中使用比所述第一写入大的电压步阶，以递增地增加该脉冲编程序列中的编程脉冲的这些编程电压。

7.如权利要求1项所述的方法，其中所述的第二写入的该第三阈值电压范围不同于所述第一写入的该第二阈值电压范围；以及

在所述的第二写入后，该第一逻辑值的一阈值电压范围大于该第一阈值电压范围。

8.如权利要求1项所述的方法，所述的第二写入包括：

编程具有第一阈值电压范围中的该存储单元组中的存储单元，以设定在该第二阈值电压范围中该存储单元的阈值电压，以及随后编程这些第二选择的存储单元以设定在该第三阈值电压范围中的电压。

9.如权利要求1项所述的方法，包括：

读取该存储单元组中的这些存储单元，包括决定一读取电压响应该存储单元组的已保存的感测状态参数。

10.如权利要求1项所述的方法，包括：

增加该存储单元组的一重写计数以响应写入该存储单元组的一要求；

若该重写计数达到该存储单元组的一重写阈值，擦除该存储单元组、复位该存储单元组的该重写计数，及随后写入该存储单元组；以及

若该重写计数小于该重写阈值，写入该存储单元组，不擦除该存储单元组及不复位该存储单元组的该重写计数。

11.一存储器装置，包括：

一存储单元组，该存储单元组的每一存储单元具有单一位；

一控制器，耦接于该存储单元组，包括通过一擦除操作建立这些存储单元中的该单一位的一第一逻辑值的逻辑电路，该擦除操作设定一第一阈值电压范围中的阈值电压；

在执行该擦除操作后，通过一第一写入操作设定该单一位上的第一逻辑值及第二逻辑值的逻辑电路，包括该第一写入操作，该第一写入操作包括编程该存储单元组中第一选择的存储单元，通过设定一第二阈值电压范围中的阈值电压以建立一第二逻辑值，该第二阈值电压范围不同于该第一阈值电压范围，以及保存一感测状态参数以指示一第一读取电压，所述第二阈值电压范围宽度大于第一阈值电压的范围宽度；

在执行该第一写入操作后，通过一第二写入操作设定该单一位上的第一逻辑值及第二逻辑值的逻辑电路，该第二写入操作包括编程该存储单元组中第二选择的存储单元，通过设定一第三阈值电压范围中的阈值电压以建立该第二逻辑值，该第三阈值电压范围不同于该第一阈值电压范围及该第二阈值电压范围，以及保存该感测状态参数以指示一第二读取电压；

在该第一及第二写入操作被执行次数达到写入该存储单元组的一临界数量后，执行该擦除操作的逻辑电路；以及

执行一读取操作的逻辑电路，该写入操作包括施加该第一读取电压及该第二读取电压两者中之一；

其中，用于该第二写入操作的脉冲编程序列具有比用于该第一写入操作的脉冲编程序列大的编程电压步阶。