[发明专利]具有混合型异质结构的图像传感器有效
| 申请号： | 201610809068.3 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN106449679B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | L.科斯洛夫斯基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄隶凡;刘培培<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器结构提供了超过100dB的SNR，而不需要使用机械快门。用于有效像素传感器阵列的电路部件被分离并且被垂直地布置在混合芯片结构中的至少两个不同层中。顶层优选地使用低噪声PMOS制造工艺制造，并且包括用于每个像素的光电二极管和放大器电路。底层优选地使用标准CMOS工艺来制造，并且包括NMOS像素电路部件和信号处理所需的任何数字电路。与使用CMOS相比，通过在为形成低噪声像素优化的PMOS工艺中形成顶层，像素性能可以被大大地改善。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 型异质 结构 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：/nPMOS电路层，包括：/n第一阵列的像素元件；/n每个像素元件包括：/n钉扎光电二极管；和/n放大器，所述放大器包括P-FET晶体管；/n环绕所述第一阵列的第一外围电路（123、124）；/nCMOS层，包括：/n第二阵列（181）的支持像素电路，所述支持像素电路包括全局快门采样和保持电路，所述支持像素电路包括N-FET晶体管；/n环绕所述第二阵列的第二外围电路（183、184），/n围绕所述第二阵列的数字电路环，/n其中所述采样和保持电路包括在所述CMOS层中形成的沟槽电容器，/n其中所述第二外围电路位于所述第二阵列与所述数字电路环之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
