[发明专利]叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201610808661.6 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106229345A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 祝杰杰;马晓华;郝跃;杨凌;侯斌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有同类器件可靠性低的问题。该器件自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6)、SiN钝化层(7)、栅介质层(8)和SiN保护层(9)，GaN缓冲层(3)的两端设有源电极(10)和漏电极(11)，栅介质层(8)的中间设有栅电极(12)，源电极(10)和漏电极(11)上设有金属互联层(13)，栅介质层(8)采用由AlN介质插入层(81)和高k介质层(82)组成的叠层结构，本发明改善了器件的界面特性和栅控能力，提高了可靠性，可用作高效微波功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层栅 介质 gan 绝缘 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管，自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6)、SiN钝化层(7)、栅介质层(8)和SiN保护层(9)，GaN缓冲层(3)的两端设有源电极(10)和漏电极(11)，栅介质层(8)的中间设有栅电极(12)，源电极(10)和漏电极(11)上设有金属互联层(13)，其特征在于栅介质层(8)采用由AlN介质插入层(81)和高k介质层(82)组成的叠层结构，通过AlN介质插入层(81)改善栅介质层与GaN帽层之间的界面质量，通过高k介质层(82)改善绝缘栅高电子迁移率晶体管的关态泄漏电流和栅控能力。
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