[发明专利]叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201610808661.6 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106229345A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 祝杰杰;马晓华;郝跃;杨凌;侯斌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 叠层栅 介质 gan 绝缘 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【说明书】：
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