[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201610808402.3 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106505037A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杉谷哲一;陆昕 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，能够得到品质良好的由模制树脂围绕的器件。晶片的加工方法将晶片分割成由模制树脂围绕的器件芯片，该晶片在隔着规定的宽度的间隙呈格子状配设的多个器件的正面上敷设有模制树脂并且具有在该间隙中埋设有模制树脂的间隔道，该晶片的加工方法具有如下的工序分割起点形成工序，沿着该间隔道在埋设于间隙的模制树脂的宽度方向中央形成分割起点；以及分割工序，对实施了分割起点形成工序的晶片赋予外力，从分割起点将间隔道分成两部分从而分割成由模制树脂围绕的器件芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，将晶片分割成由模制树脂围绕的器件芯片，该晶片在隔着规定的宽度的间隙呈格子状配设的多个器件的正面上敷设有模制树脂，并且该晶片具有在该间隙中埋设有模制树脂的间隔道，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：分割起点形成工序，沿着该间隔道在埋设于该间隙的模制树脂的宽度方向中央形成分割起点；以及分割工序，对实施了该分割起点形成工序的晶片赋予外力，从该分割起点将该间隔道分成两部分从而分割成由模制树脂围绕的器件芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610808402.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于UWB的三维室内定位系统
- 下一篇：一种定位转移的方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
