[发明专利]单晶硅基材的织构化

摘要

本申请涉及单晶硅基材的织构化。制备单晶硅基材表面用于后续织构化步骤的方法，该方法包括a.通过使表面与清洁溶液接触来从表面去除污染物；b.用包含12‑19重量％的KOH和/或NaOH的水性溶液对经预清洁的表面进行蚀刻；c.在7‑10的pH，用水性介质对经蚀刻的表面进行清洗；以及d.在2‑4.5的pH，使经清洗、蚀刻的表面接触臭氧化的去离子水，从而将经清洗、蚀刻的表面转变为经制备的表面。还提供了对经制备的表面进行织构化的方法。

主权项

一种制备单晶硅基材表面用于后续织构化步骤的方法，所述方法包括：a.通过使表面与清洁溶液接触，从所述表面去除污染物，从而将所述表面转变成经过预清洁的表面；b.用水性溶液对所述经过预清洁的表面进行蚀刻，所述水性溶液包含12‑19重量％，优选13‑18％的KOH和/或NaOH，从而将所述经过预清洁的表面转变成经蚀刻的表面；c.在7‑10的pH，用水性介质来清洗所述经蚀刻的表面，从而将所述经蚀刻的表面转变成经清洗、蚀刻的表面；以及d.使所述经清洗、蚀刻的表面与臭氧化的去离子水在2‑4.5的pH接触，从而将所述经清洗、蚀刻的表面转变成经制备的表面。