[发明专利]一种含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201610807102.3 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106632999A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 黄飞;金耀城;陈智明;应磊;曹镛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/46 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料及其制备方法与应用。本发明通过并噻吩类单体与含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的多种单体进行共聚，获得含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体。由于萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑具有良好的吸电子能力以及平面性，本发明所制备的新型含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料可以非常好的调节光电性质，具有良好的光电性能，因此可应用于制作聚合物太阳电池的活性层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噻二唑 聚合物 半导体材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种含萘[1,2‑c；5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料结构式为：其中R为氢或C1～C36的烷基，C1～C36的烷氧基，C1～C36的烷硫基或CH3O(CH2O)x(x＝1～36)的醚链；n为所述有机半导体材料的聚合度；n为30～300的自然数。
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