[发明专利]一种快速制备有序阳极氧化钛纳米管阵列膜的方法有效
申请号: | 201610802199.9 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN106367794B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 宋晔;张贺;张伟康;范昊雯;廖茂颖;朱绪飞 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;C23F3/06 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红;朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种快速制备有序阳极氧化钛纳米管阵列膜的方法,以经抛光处理后的钛箔为阳极,以含氟溶液为电解液,加入聚乙烯醇或聚乙二醇作为添加剂,在20±5°C的电解温度下,进行恒压或恒流的阳极氧化处理。采用本发明所述方法,可以保证氧化膜均匀稳定快速生长而不会发生电击穿现象,纳米管的生长速率可达到1.20μm min‑1以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 制备 有序 阳极 氧化 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快速制备有序阳极氧化钛纳米管阵列膜的方法,其特征在于,以经抛光处理后的钛箔为阳极,以含氟溶液为电解液,加入聚乙烯醇或聚乙二醇添加剂,在20±5 °C的电解温度下,进行恒压或恒流的阳极氧化处理,聚乙烯醇或聚乙二醇添加剂与氧化物表面相互作用,减少了发生电击穿的初始电子源,其中,恒压阳极氧化处理在高压120 V下进行,恒流阳极氧化处理在电流密度40 mA cm2下进行。
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