[发明专利]一种二极管管芯总成酸洗工艺有效
申请号: | 201610795566.7 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106252207B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 欧金荣;李平生 | 申请(专利权)人: | 广安市嘉乐电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/329 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 薛波 |
地址: | 638600 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于半导体二极管生产技术领域,具体是一种二极管管芯总成酸洗工艺。本发明的二极管管芯总成酸洗工艺,通过提高腐蚀液喷洒时间,使二极管管芯总成腐蚀更彻底。通过提高钝化液的钝化温度,提高了钝化效果,提高了二极管成品参数一致性。在腐蚀、钝化和清洗过程中,采用喷洒方式施加药剂,整体上提高了加工效果。在清洗后再加入漂洗过程,去除了二极管管芯总成表面残留的药剂,防止在后续工艺中对二极管成品质量造成影响。通过超声波清洗,可以去除表面粘接的杂质,进一步提高二极管管芯总成的清洁度。去水后再酒精清洗,一方面酒精与水可以去除二极管管芯表面的水,通过风干的方式,酒精快速挥发,使二极管管芯可以快速干燥。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 管芯 总成 酸洗 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种二极管管芯总成酸洗工艺,包括以下步骤:S1,将二极管管芯总成进行腐蚀,所采用腐蚀液为硝酸、氢氟酸、乙酸、硫酸按体积比9:9:14:4混合而成,其中所使用的硝酸浓度为69%,所使用的氢氟酸浓度为40%,所使用的乙酸浓度为98%,所使用的硫酸浓度为98.3%,腐蚀液采用喷洒方式施加,腐蚀液温度为10‑20度,腐蚀液喷洒时间100‑150秒;S2,将腐蚀后的二极管管芯总成进行钝化,所采用钝化液为磷酸、双氧水、去离子水按体积比1:1:4.5混合而成,所使用磷酸浓度为75‑85%,所使用双氧水浓度为25‑35%,钝化液采用喷洒方式施加,所使用钝化液温度为60‑70度,钝化液喷洒时间为50‑75秒;S3,将钝化后的二极管管芯总成进行清洗,所采用清洗液为氨水、双氧水、去离子水按体积比1:1:18混合而成,所使用的氨水浓度为15%,所使用双氧水浓度为30%,清洗液采用喷洒方式施加,所使用清洗液温度为15‑20度,清洗液喷洒时间为100‑150秒;S4,将清洗后的二极管管芯总成进行漂洗,所采用的漂洗液为去离子水,漂洗采用浸泡方式进行,所使用漂洗液采用循环更新方式;S5,将漂洗后的二极管管芯总成进行超声波清洗,超声波清洗采用的清洗剂为去离子水;S6,将超声波清洗后的二极管管芯总成去除水分;S7,将去水后的二极管管芯采用酒精清洗,酒精清洗所使用的酒精纯度大于97%;S8,将酒精清洗后的二极管管芯总成在无尘室内风干去除酒精。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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